スイッチング損失35%減のSiCトランジスタ、ロームが月産50万個体制で量産

　ロームはスイッチング損失を同社従来品比３５％低減した、炭化ケイ素（ＳｉＣ）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の新製品を開発した。端子数が４端子のパッケージを採用した。同社従来品は３端子だった。インダクタンス（磁束変化に対する抵抗）の影響を抑え、ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの高速スイッチング性能を最大限に引き出した。

　サンプル価格（消費税抜き）は２１００円から。月産５０万個体制で量産を始めた。ゲートドライバーＩＣ、電源ＩＣなどと組み合わせたＳｉＣＭＯＳＦＥＴ評価ボードも展開する。

　サーバー用電源や太陽光発電用インバーター、電気自動車（ＥＶ）充電ステーションなどに向けた製品。チップ表面に溝を、側壁にＭＯＳＦＥＴのゲートを形成するトレンチゲート構造を採用した。データセンターなどで使うサーバーは大容量化、高性能化の一方で消費電力の低減が課題となっている。