垂直型SiCエピタキシャル装置は、炭化ケイ素基板上に高品質なエピタキシャル層を成長させるための成膜設備で、パワー半導体製造に不可欠である。ガス流れや温度分布を最適化する構造により、膜厚均一性や欠陥密度低減を実現する。電動車や再生可能エネルギー用途の拡大に伴い、高スループット化と大口径基板対応が進められている。 2032年の世界垂直型SiCエピタキシャル装置市場は約531百万米ドルに達すると