AFX通信によると、米コンピューター大手IBMは11日、台湾の半導体素子メーカー、マクロニクスや独キマンダと共同で、次世代のデジタル情報記憶媒体「PRAM（相変化メモリ）」を試作したと発表した。フラッシュメモリと比較して、書き込み・読み出し速度が500倍、消費電力は半分。同3社は、声明の中で、新型メモリはフラッシュメモリに代わって、デジタルカメラや携帯デジタル音楽プレーヤーなど電子製品の部品として広く普及する可能