ウィンボンド、産業用および組込みアプリケーション向けに高性能な16nmプロセス 8Gb DDR4 DRAMを発表
台湾・台中市 - 2025年12月03日 - 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は本日、新開発の8Gb DDR4 DRAMのリリースを発表しました。本製品は、ウィンボンド独自の高性能な16nmプロセス技術を用いて開発され、テレビ、サーバー、ネットワーク機器、産業用PC、組込みアプリケーション向けに、より高速で低消費電力、かつコスト効率に優れたソリューションをシステム設計者に提供します。
16nmプロセス8Gb DDR4 DRAM
DDR5の採用が進む中でも、多くの産業分野では、実績ある安定性と確立されたエコシステムからDDR4への依存が続いております。当社の8Gb DDR4 DRAMは、DDR4のエコシステムに依存しつつ、より高速なデータ転送とシステム競争力の向上を求めるお客様向けに設計されております。
ウィンボンドは、先進的な16nm製造プロセス技術を活用し、新世代DDR4 DRAMにおいて大幅な性能向上を実現いたしました。従来世代と比較し、16nmプロセスはダイサイズの縮小、ウエハ生産性の向上、電力効率の改善を実現し、パッケージ面積を拡大することなく高容量DRAMの統合を可能にしています。改良されたプロセスはシグナル インテグリティを高め、リーク電流を低減し、最大3600Mbpsのデータ転送速度においても安定した動作を実現します。高速化、低コスト化、そして安定性の高い製造プロセスを兼ね備えたウィンボンドの新世代DDR4 DRAMは、長期供給サポートが求められる産業用および組込みアプリケーションにおいて、非常に有望な選択肢となります。
本デバイスは業界初の最大3600Mbpsのデータレートをサポートし、既存のDDR4規格を上回る高速データ転送を実現することで、高速コンピューティングアプリケーションのニーズに応えます。ウィンボンドの16nmプロセス技術を採用した小型ダイサイズにより、同一パッケージ内での容量増加とシステム全体のコスト削減に貢献します。
設計、16nmプロセス開発、製造の全工程を自社で完結する台湾ブランドとして、ウィンボンドは産業用およびKnown Good Die(KGD)のお客様に対し、安定したサプライチェーンと専任のアフターサポートを提供いたします。
「DDR4は多くの市場において依然として重要な技術であり、当社の新8Gb DDR4ソリューションにより、お客様はより優れた性能と効率性をもって、その強力なエコシステムの恩恵を継続して享受いただけます」とウィンボンドは述べています。「16nmプロセスの専門知識と高速性能を組み合わせることで、お客様が厳しいコンピューティング要件を満たしつつ、システム全体のコスト削減を実現できるよう支援いたします」
ウィンボンドの16nmプロセスノードは、DDR4製造技術の成長において新たなベンチマークを確立しました。長寿命アプリケーション向けに速度、拡張性、効率性を兼ね備えております。このプラットフォームを基盤に、同じ16nmプロセスでさらに3つの製品――CUBE、16Gb LPDDR4、16Gb DDR4――が既に開発中であり、ウィンボンドの次世代メモリ製品ラインアップをさらに拡充して行く予定です。
ウィンボンドのDDR4ソリューションに関する詳細は、下記URLをご参照ください：
https://www.winbond.com/hq/product/customized-memory-solution/ddr-sdr/?__locale=en
■ウィンボンド・エレクトロニクスについて
ウィンボンド・エレクトロニクスは、メモリおよびロジックICの自社製品と技術を有する、世界でも数少ない企業の一つです。製品設計、研究開発、ウエハ製造から自社ブランドのグローバルマーケティングまでを行い、世界中のお客様にトータルメモリソリューションを提供しています。ウィンボンド・エレクトロニクスの製品ポートフォリオは、カスタマイズメモリソリューション(CMS)、コードストレージフラッシュメモリ、およびTrustME(R)セキュアフラッシュメモリで構成されており、通信、家電、車載、産業、そしてコンピュータ周辺機器市場におけるTier1メーカーで広く採用されています。本社は中部台湾サイエンスパークに位置し、アメリカ、中国、日本、ドイツ、インド、韓国、香港、シンガポール、イスラエルに子会社を有しています。台中および高雄に保有する12インチファブをベースに、高品質な製品とサービスを提供するため、更なる自社技術開発を進めています。
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