【上海ＩＰＯ】ＳｉＣ基板材料大手の山東天岳先進科技、初値は公開価格の５．８％安

　ＳｉＣ（炭化ケイ素）基板材料の生産を手掛ける山東天岳先進科技（天岳先進、６８８２３４／上海）が１月１２日、上海証券取引所科創板に初上場した。公開価格８２．７９元に対して初値は５．８％安い７７．９８元だった。

　同社は２０１０年設立。第３世代ワイドギャップ半導体のＳｉＣ基板材料の研究開発、生産、販売を行なっており、製品はマイクロウェーブ電子、電力電子分野に応用されている。主に半絶縁型ＳｉＣ製品の開発、生産に注力し、一部先進国から技術封鎖や輸入禁止措置を取られている中で、中国国内におけるワイドギャップ半導体の国産サプライチェーン構築に貢献している。中国のＳｉＣ基板分野のリーディングカンパニーであり、２０２０年には半絶縁性ＳｉＣ基板市場において世界３位である３０％のシェアを獲得している。

　２０２０年１２月期の売上高は４億２４８１万元（前期比５８．２％増）、純損失は６億４１６１元（同２１９．３％損失増）。２０２１年１〜９月期の売上高は３億７０１０万元（前年同期比２９．９１％増）、純利益は５３５３万元（前年同期は純損失とみられ、具体的な金額は非公表）。

　今回の上場で調達予定の２０億元（約３６０億円）は、上海市臨港新片区に建設予定の大規模なＳｉＣ基盤生産工場プロジェクトに用いる。（編集担当：今関忠馬）（イメージ写真提供：１２３ＲＦ）