半導体用酸化ハフニウムは、化学式 HfO2で表される無機化合物であり、高誘電率を持つ酸化物材料の一種である。通常、白色の粉末状や薄膜状態で存在し、半導体デバイスのゲート絶縁膜やメモリ素子の材料として用いられる。高融点（約 2800℃）や高硬度、化学的安定性に優れており、特にその高誘電率特性により、従来のシリコン酸化膜に比べて、より薄い膜厚で同等以上の絶縁性能を発揮できることから、半導体デバイスの微細化