ウエハ用高純度炭化ケイ素粉末とは、半導体用ウエハ、特に高耐圧・高効率パワー半導体用に加工される炭化ケイ素（SiC）の原材料粉末である。SiCはその物理特性として、高いバンドギャップ、高温／高電圧耐性、優れた熱伝導性および放熱特性を示し、従来のシリコン（Si）では困難な高電圧、高周波、高温環境下での安定動作を可能にする。この粉末が持つ高純度性、均一な粒径分布、結晶構造の均質性が、最終的なウエハの結晶品