ロームはスイッチング損失を同社従来品比３５％低減した、炭化ケイ素（ＳｉＣ）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の新製品を開発した。端子数が４端子のパッケージを採用した。同社従来品は３端子だった。インダクタンス（磁束変化に対する抵抗）の影響を抑え、ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの高速スイッチング性能を最大限に引き出した。サンプル価格（消費税抜き）は２１００円から。月産５０万個体制で量産を始め