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GaN系垂直共振器型面発光レーザー（VCSEL）１）は、可視光領域における高効率・小型光源として注目されており、次世代ディスプレイ、センシング、光通信など幅広い応用が期待されています。名城大学 理工学部 化学・物質学科 材料機能工学専攻の竹内哲也教授、上山智教授、岩谷素顕教授の研究グループは、GaN系VCSEL において、従来重要とされてきた利得ピーク波長制御（デチューニング２））に加え、新たに共振波長制御である「共
