2021年10月6日〜8日開催の「SamsungFoundry Forum 2021」の中で、Samsungが3nmプロセス製品と2nmプロセス製品の展開スケジュールを明かしました。

Samsung Foundry Innovations Power the Future of Big Data, AI/ML and Smart, Connected Devices | Business Wire

https://www.businesswire.com/news/home/20211006005742/en/Samsung-Foundry-Innovations-Power-the-Future-of-Big-Data-AIML-and-Smart-Connected-Devices



Samsung Foundry touts new U.S. fab, chips on 3nm in ‘22 and 2nm in ‘25 | FierceElectronics

https://www.fierceelectronics.com/electronics/samsung-foundry-touts-new-u-s-fab-chips-3nm-22-and-2nm-25



Samsung Foundry: 2nm Silicon in 2025

https://www.anandtech.com/show/16995/samsung-foundry-2nm-silicon-in-2025

Samsungは2019年時点で、3nmプロセス用設計キットのアルファ版を顧客向けに用意したことを発表しています。

今回のイベントでは、2022年前半に最初の3nmプロセス製品(3GAE)の製造を開始し、2023年には第2世代の3nmプロセス製品(3GAP)を展開する予定で、2nmプロセス製品(2GAP)も2025年の量産に向けて開発の初期段階にあることが明らかになりました。

Samsungでは独自のマルチブリッジ・チャネルFET技術により、電力・性能・柔軟な設計能力を強化し、継続的なプロセス移行を実現。3nmプロセスにおいて、5nmと比較して最大で35％の面積削減と30％の性能向上、50％の消費電力削減を可能にしています。PPA(電力・性能・消費電力)の改善とプロセスの成熟度向上により、歩留まりもすでに量産中の4nmプロセスに近い数字になっているとのことです。