韓国Samsung Electronicsは7月14日（現地時間）、業界で初となる24Gbps仕様のGDDR6メモリを開発したと明らかにした。7月から顧客による検証を開始し、次世代グラフィックスカードへの採用に向けて製品化を進めていくという。



EUV（Extreme Ultraviolet、極端紫外線）リソグラフィによるSamsungの第3世代10nm 1プロセス（1z）で製造される半導体製品。電流のリークを最小限に抑える高度な絶縁材料（High-K Metal Gate; HKMG）の採用により、従来の18Gbps製品から30%も高速化。JEDEC仕様に完全に準拠し、あらゆるGPU設計への互換性を備えたとしている。

プレミアムグラフィックスカードへの採用に加え、低消費電力オプションも用意してノートPCへの採用も見込む。一般的な1.35V GDDR6よりも20%電力高い効率を備える、1.1V版の20Gbpsモデルと16Gbps版をラインナップ。ダイナミック電圧スイッチング技術により、バッテリー動作時間の延長が可能だという。