KD Market Insights は、『SiCおよびGaNパワー半導体市場の将来動向および機会分析 ― 2025年～2035年』と題した市場調査レポートの発行を発表いたします。本レポートの対象範囲には、現在の市場動向および将来の成長機会に関する情報が含まれており、読者が十分な情報に基づいたビジネス意思決定を行えるよう支援します。本調査レポートでは、KD Market Insights の研究者が一次調査および二次調査の分析手法を活用し、市場競争の評価、競合企業のベンチマーク分析、およびそれら企業のGo-To-Market（GTM）戦略の理解を行っています。

SiCおよびGaNパワー半導体市場：エネルギー効率型エレクトロニクスの原動力

SiCおよびGaNパワー半導体市場は、電気自動車（EV）、データセンター、コンシューマーエレクトロニクス分野におけるエネルギー効率向上への世界的な需要拡大を背景に、爆発的な成長期を迎えています。これらのワイドバンドギャップ材料が、高出力・高周波用途において従来のシリコンに取って代わる中、業界では積極的な生産能力拡大と戦略的統合の波が進行しており、市場は急速に進化しています。

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市場規模と成長軌道

世界のSiCおよびGaNパワー半導体市場に関する調査レポートによると、市場は2025年から2035年にかけて年平均成長率（CAGR）23.1％で成長し、2035年末までに市場規模が118億米ドルに達すると予測されています。2025年の市場規模は16億米ドルと評価されました。

市場セグメンテーションと主要成長要因

ワイドバンドギャップ半導体市場は、主にSiCとGaNという2つの主要材料に分けられ、それぞれ異なる性能領域および用途領域を占めています。

シリコンカーバイド（SiC）― 高電圧分野のリーダー：
SiCセグメントは、2025年に64.8％の支配的な市場シェアを占めました。高電圧・高温用途における優れた性能により、SiCは電気自動車（EV）のパワートレインおよび充電インフラ向け材料として最適な選択肢となっています。自動車業界は依然としてSiC最大の消費分野であり、より長い航続距離と高速充電を求めるEV市場の拡大が需要を牽引しています。

窒化ガリウム（GaN）― 高周波分野の主役：
GaNセグメントは、高周波かつ小型用途への適合性を背景に、年平均成長率（CAGR）12.4％で成長すると予測されています。GaNは、コンシューマーエレクトロニクス（急速充電器）、データセンター用電源、通信インフラ分野で広く採用されており、高周波で効率的にスイッチングできる特性により、小型・軽量・高電力密度システムの実現を可能にしています。

課題：供給、コスト、競争

明るい市場見通しがある一方で、業界は大きな課題にも直面しています。従来のシリコンと比較した場合のSiCおよびGaNの高い初期コストは、特に中小企業にとって普及拡大の障壁となっています。また、世界的なサプライチェーンも大きな混乱を経験しました。米国のSiCウェハメーカー Wolfspeed は2025年半ばに破産申請を行い、9月に再建を果たすまで業界に大きな衝撃を与えました。

さらに、特に中国の新興SiCメーカー群との激しい競争により、価格圧力が高まっています。これにより、ダイコスト削減および規模の経済性向上を目的として、150mm（6インチ）ウェハから200mm（8インチ）ウェハへの移行が加速しています。