株式会社三社電機製作所FCA300AD170株式会社三社電機製作所(本社:大阪市)はこのたび、1700V/300A SiC MOSFETモジュールを開発しました。SiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスは、従来のSi(シリコン)を超える低損失、高速動作が可能なため、大電流、高電圧用途として、車載や産業用分野などで省エネルギー化のキーデバイスとして注目されています。すでにリリースされている1200Vに加
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株式会社三社電機製作所FCA300AD170株式会社三社電機製作所(本社:大阪市)はこのたび、1700V/300A SiC MOSFETモジュールを開発しました。SiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスは、従来のSi(シリコン)を超える低損失、高速動作が可能なため、大電流、高電圧用途として、車載や産業用分野などで省エネルギー化のキーデバイスとして注目されています。すでにリリースされている1200Vに加