XFN-ASIAによると、韓国・サムスン電子は27日、同社製NAND型フラッシュメモリ（電気的に一括消去・再書き込み可能なメモリ)「OneNAND」の新型機を発表した。この新製品は記憶容量2ギガビットと従来製品から倍増し、書き込み速度も1秒あたり9.3メガバイトから17メガバイトに向上している。

　　同社では「電話やデジカメ、外付けメモリーカード、パソコン、デジタルテレビまで、広範囲にわたる可能性を持っている」としている。　【了】