桐蔭横浜大学の宮坂力特任教授、戸邉智之大学院生らは、インクジェット（ＩＪ）法によるペロブスカイト層の低温成膜に成功した。一般的な樹脂基板の耐熱温度である１５０度Ｃ以下の条件で、ＩＪプリンターを使ってペロブスカイト太陽電池（用語参照）を作製し、同手法では世界最高のエネルギー変換効率１３・３％超を達成した。これまでＩＪ法では５００度Ｃ以上で成膜しており、樹脂基板に適用できなかった。