HBM

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22026年9月14日、韓国・中央日報は「韓国の半導体産業を支える高帯域幅メモリ（HBM）においても、中国との技術格差が大幅に縮まっている」と報じた。

記事によると、韓国半導体産業協会は韓国と中国のメモリ半導体における技術格差は、HBMで3年、DRAMで2年、NAND型フラッシュメモリで1年にまで縮まったとしており、数年前までは5年以上の格差があるとされてきたと説明した。

中国の長鑫メモリ・テクノロジーズ（CXMT）は最近、アリババの子会社T-Headなどのファブレス半導体設計企業とともに、第5世代HBM「HBM3E」のテストを進めており、早ければ来年から、これを搭載したIT製品を発売する予定だという。サムスン電子、SKハイニックス、マイクロンが生産するHBM4との世代差は、わずか1世代となる。

専門家は、「中国の半導体技術の追撃速度は従来の常識を超えている」と評価している。政府による支援、巨大な内需市場、研究開発エコシステムがかみ合い、技術の蓄積が急速に加速していると説明している。米国の制裁を迂回しながら実現しているという点でも、中国によるHBMの追撃は脅威だという。

記事によると、サムスン電子とSKハイニックスが、高収益の先端製品であるHBMやサーバー向けメモリに生産能力を集中させたことが、皮肉にも中国企業にとってチャンスになったとの分析も出ている。汎用メモリ市場で現金を手にした中国企業が、この資金を次世代設備の増設やHBMの研究開発（R&D）に再投資する「好循環サイクル」が回り始めたためだ。

世界のPCやスマートフォンに搭載される汎用DRAM（DDR5など）は深刻な品薄となっており、今年1～3月期の価格は前四半期比で98％急騰した。その空白に入り込んだCXMTと長江メモリ・テクノロジーズ（YMTC）は、汎用メモリ市場でのシェアを急速に拡大した。

市場調査会社カウンターポイント・リサーチによると、4～6月期の世界DRAM市場におけるCXMTのシェアは10％で、前年同期の4％から2倍以上に拡大した。サムスン電子（38％）、SKハイニックス（25％）、マイクロン（24％）に次ぐ4位に浮上した。

YMTCのNAND型フラッシュメモリ市場のシェアも9％から14％に上昇した。同社は先月末に開いたIPO準備会議で、投資家に対し「2027年までにサムスン電子とSKハイニックスを抜き、世界のNAND型フラッシュメモリ市場で1位になる」と表明したという。

CXMTの今年上半期の売上高は1503億1000万元（約3兆4718億円）で、前年同期比873．6％の急増となった。売上高の64％に当たる958億元は、中国本土以外で稼いでいる。これは、同社がすでに世界のサプライチェーンの奥深くまで入り込んでいることを意味する。前年上半期に23億3000万元の損失を計上していた純損益も、776億500万元という巨額の黒字へと転じた。さらに、4～6月期の営業利益率は82％に達し、SKハイニックス（76％）とサムスン電子の半導体部門（70％）を上回った。

過去には損失を覚悟して半導体を大量生産していた中国企業が、最近の半導体スーパーサイクルを追い風に、10年ぶりに赤字から脱却し、R&Dに投じる資金を確保したと分析されている。専門家は、「中国のHBM追撃に対抗するためには、韓国の半導体業界も体制を立て直す必要がある」と警鐘を鳴らしている。

この記事に、韓国のネットユーザーからは、「CXMTの赤字は中国政府が穴埋めしているし、中国半導体を使う業者には支援金を出している。さらに、サムスン、ハイニックス出身のエンジニアが技術を伝授しているという現実がある」「中国がまともな方法でここまで追撃したはずがない。韓国や先進国の企業から人材を引き抜き、技術を奪い、設計図をコピーして得た成果だ」「韓国の技術を持ち出した韓国人が社員になっているのだから、追いついてくるのは当然とも言える。米中が和解モードなら、値段が高い韓国製は絶対に買わないだろう」「中国の都市に行ってごらんよ。韓国はすでに中国に負けていると実感するから」「サムスン電子、SKハイニックスも3年後には奈落に落ちているだろう」などのコメントが寄せられている。（翻訳・編集/麻江）