MOSFET市場は大きな成長機会を迎える一方で、製品コスト、熱管理、リーク電流、耐圧性能などの技術的課題も存在しています。特に高性能パワーMOSFETは、自動車や産業用途で求められる信頼性基準を満たす必要があり、設計や製造コストが導入時の課題となっています。

一方で、中電力MOSFETを中心とした新たな成長領域では、EV補助システム、産業用モーター制御、通信電源などで需要拡大が期待されています。2025年9月には、インフィニオン・テクノロジーズAGが電動化向け150V自動車用MOSFETを発表し、低RDS(on)と高い熱性能を備えた製品によって次世代車両向け電力システムの効率化を推進しています。

さらに2026年には、ナビタス・セミコンダクターが1200V SiCトレンチアシストプレーナ（TAP）MOSFETを搭載した第5世代GeneSiCプラットフォームを発表し、AIデータセンター、電力網インフラ、産業用電化分野に向けた高性能パワー半導体の進化を加速させています。

MOSFET市場、2035年に向けた日本企業の競争優位性とは？半導体電力制御技術の進化が生み出す次世代ビジネス機会

● EV・次世代モビリティ時代に対応する高性能MOSFET技術が日本企業の成長領域を拡大

2035年に向けて最も大きな市場機会の一つが、自動車産業におけるMOSFET需要の拡大です。EVではバッテリー制御、インバーター、充電システム、電力変換ユニットなど、多数の電力制御回路が必要となり、高効率・低損失・高耐久性を備えたMOSFETへの需要が急速に高まっています。日本企業は、トヨタ、日産、ホンダなど世界有数の自動車メーカーとの長期的なサプライチェーン関係や、車載半導体に求められる高い品質基準への対応力を持っています。そのため、単純な価格競争ではなく、高信頼性・長寿命・熱管理性能に優れたMOSFET製品を提供することで、プレミアム市場での競争力を強化できます。今後、EV普及率の上昇や自動運転技術の進化に伴い、車載向けパワー半導体市場での技術差別化が企業成長の重要な鍵になると考えられます。

● SiC・次世代パワー半導体との融合による高付加価値市場への参入機会

MOSFET市場では、従来型シリコンMOSFETに加えて、SiC（炭化ケイ素）や高耐圧デバイスなど次世代パワー半導体技術への移行が進んでいます。特に電気自動車、高速充電設備、太陽光発電、蓄電システムでは、電力損失を低減しながら高出力化を実現する技術が求められています。日本企業は材料技術、製造プロセス、半導体装置、精密加工など幅広い産業基盤を有しており、MOSFET単体だけではなく、材料・製造設備・パッケージング技術を含めたエコシステム全体で競争優位性を築くことができます。2035年までの市場拡大では、低価格大量生産モデルよりも、高性能・高信頼性・用途特化型製品への需要が増加すると予想され、日本企業にとって技術革新を収益化する絶好の機会となります。