アメリカ政府による先端半導体技術の対中輸出規制は、多国籍企業の中国戦略に大きく影響する。写真は江蘇省無錫市にあるSKハイニックスのDRAM工場（同社ウェブサイトより）アメリカ商務省の産業安全保障局（BIS）は10月7日、先端半導体技術の対中輸出に関する多数の規制措置を発表した。具体的な規制対象には、回線幅18nm（ナノメートル）以下のプロセス技術で製造するDRAM、積層数が128層以上のNANDフラッシュメモリー、回線幅16n