現地時間の2023年6月8日、韓国の半導体製造企業・SK hynixが、世界初の238層512Gb(ギガビット：64GB)TLC(Triple Level Cell)4D NANDフラッシュメモリの量産を開始したことを発表しました。SK hynix Begins Mass Production of Industry's Highest 238-Layer 4D NAND | SK hynix Newsroomhttps://news.skhynix.com/sk-hynix-begins-mass-production-of-industrys-highest-238-layer-4d-nand/SK Hynix Starts Production of 238-Laye