物質・材料研究機構(NIMS)は、Al陽極酸化膜を用いた希少元素フリー抵抗変化型メモリ(ReRAM)の電子状態を熱刺激電流測定によって明らかにし、第1原理計算から導いた動作原理モデルの妥当性を検証したと発表した。同成果は、木戸勇元強磁場センター長らによるもの。この他、AlOx-ReRAMの動作原理解明に関しては、理論計算科学ユニット 籾田浩義外来研究員らのバンド構造計算結果に基づき、原子力研究開発機構 久保田正人研究副主幹と