ArFおよびKrFフォトレジスト樹脂は、半導体製造工程において光リソグラフィ技術の核心を担う感光性高分子材料である。これらはそれぞれ、ArFエキシマレーザー（波長193nm）およびKrFエキシマレーザー（波長248nm）を光源とする露光プロセスに使用され、ウェハ上に微細な回路パターンを形成する。特にArFレジストは、微細化の進展とともに高解像度・高感度・高エッチング耐性が求められ、化学増幅型