【ソウル聯合ニュース】韓国のサムスン電子が4日、ソウル近郊の京畿道・平沢に完成した半導体生産ラインの本格的な稼働を開始した。

 同社はこの日、平沢の半導体団地で権五鉉(クォン・オヒョン)副会長、金奇南(キム・ギナム)半導体総括社長をはじめ、約100人が出席して製品の出荷式を行い、最先端の3D(3次元)V―NAND型フラッシュメモリーの量産を開始したと伝えた。
 2015年5月の着工から約2年で完工した平沢の半導体ラインは、単一生産ラインとしては世界最大規模で、建設現場に投入された人員は1日平均1万2000人に上った。
 ここで生産される製品は第4世代の64層V―NANDだ。サムスン電子は今後生産設備を拡充し、近ごろのグローバル半導体市場の品不足に対応する方針だ。
 21年までの総投資規模は約37兆ウォン(約3兆6500億ウォン)に達すると推計される。
 また、14年に完工し現在稼働率100%の中国・西安の半導体ラインを増設し、NAND型フラッシュメモリーの最大の需要地である中国市場に対応することを決めた。
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