富士通と富士通研究所は10日、気象レーダーなどのパワーアンプに適用可能な窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor :HEMT)(GaN HEMT)において、大電流化と高電圧化を同時に達成する結晶構造を開発したと発表。マイクロ波帯の送信用トランジスタとしては従来比3倍の高出力化に成功した。【こちらも】富士通、電池交換の要らないビーコン明るさ10分の1でも動作半導体パワーデバイスの一