SRAM互換で250MHz動作する次世代磁気メモリ（MRAM）――NECが開発

　30日、NECは世界最高速となる250MHz動作が可能な次世代磁気メモリの実証実験に成功したと発表した。　MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）は、通常のSRAMやDRAMのようにデータ保持に電力を必要とせず、フラッシュメモリのような書き換え回数の制限のない不揮発性メモリだ。また、今回実験に成功したMRAMは、トランジスタ2個と磁気抵抗素子1個からなるメモリセルと独自の回路方式により、現在のSRAMと同等な250MHzでの高速動作を実現した。...