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産業技術総合研究所(産総研)は9月29日、ダイレクトウェハ化技術により、転位など欠陥の極めて少ない気相合成単結晶ダイヤモンドウェハを作製できる低欠陥コピー技術を実証したと発表した。

同成果は、同所 ユビキタスエネルギー研究部門 ダイヤモンドデバイス化研究グループの杢野由明研究グループ長、加藤有香子主任研究員、鹿田真一総括研究主幹らによるもの。詳細は、アメリカ物理学会誌「Applied Physics Letters」のオンライン版に掲載された。

今回、ダイレクトウェハ化の種基板として、欠陥の極めて少ない基板を用いるとともに、このような基板に対応した結晶成長技術や基板表面処理技術を開発することにより、従来より一桁以上低い転位密度400個cm-2の単結晶ダイヤモンドウェハを作製したという。これにより、ダイヤモンドのパワーエレクトロニクス用材料としての可能性が示され、究極の材料特性をもつパワーデバイスによる省エネルギー社会の実現へ道を拓くことが期待されるとコメントしている。