Samsungが次世代通信規格「5G」のスマートフォンへの搭載が見込まれる線幅7ナノメートルの半導体Qualcommと共同で開発する見通しであることがわかりました。

Samsung、Qualcommとのファウンドリ関係を拡大

20ナノメートルよりも微細なサイズの加工を行なうことができる極端紫外線リソグラフィ技術(略称:EUVリソグラフィ)において過去10年間提携しているSamsungとQualcommの両社ですが、Qualcommの5G世代のSpapdragonチップセット開発のため、Samsungの保持する7ナノメートル低消費電力プロセスLPP(Low Power Plus)EUV技術を活用する方針であるとのことです。線幅7ナノメートルの半導体は10ナノメートルのものと比べ、電力性能が最低50%改善するといわれています。
 
「5Gに向け、Qualcommとファウンドリ関係を拡大し続けられることをうれしく思う」と、Samsungのファウンドリ・セールス&マーケティング部門の代表取締役副社長のチャーリー・ベイ氏はコメントしています。
 
ファウンドリ・ビジネスとは、半導体の製造プラントを持たない企業のために半導体製造を請け負うことを指します。
 
 
Source:Gadgets 360
(lexi)