ウエハー(写真はイメージ)

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 パナソニックと東京精密は、シリコンウエハー1枚当たりの半導体チップの製造個数が最大4%増える半導体後工程用システムを2月に発売する。後工程のダイシング工程にレーザーとプラズマを用い、ウエハー上のチップの切断幅を従来手法の約5分の1に削減。無駄になっていた切断部分を低減できる。微小電気機械システム(MEMS)や無線識別(RFID)などの小型チップの生産効率が高まる。

 同システムは半導体製造プロセスで、ウエハー上に形成したチップを切り出すダイシング工程向け。東京精密のレーザーパターニング装置と、パナソニックのプラズマダイシング装置を組み合わせて、最適化した。価格は仕様などで異なるが4億―6億円程度を想定。20年度に両社で100億円の販売を目指す。

 レーザー照射で微細な線幅のパターンを形成し、形成部分のみにプラズマ照射してチップを切り出す。現在の主流である刃具による加工に比べて、切断幅が約8割減の最小10マイクロメートル(マイクロは100万分の1)に狭められる。

 MEMSやRFIDのチップは小型で、ウエハー1枚当たりの切断箇所は増加傾向にある。切断幅を小さくすることで、ウエハーの面積を最大限有効活用できる。

 このほか、最新の3次元NAND型フラッシュメモリーなどで使われる厚さ50マイクロメートル以下の極薄ウエハーの切断にも向く。刃具に比べチップが破損しにくく、チップ強度は最大5倍高まる。