NAND型フラッシュメモリー(SKハイニックス提供)=(聯合ニュース)

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【ソウル聯合ニュース】韓国のSKハイニックスは10日、世界で初めて72層256ギガビット(Gb)のNAND型フラッシュメモリーの開発に成功したと明らかにした。

 サムスン電子と東芝が第4世代のNAND型フラッシュメモリー量産を開始したのに続き、SKハイニックスも今年下半期から第4世代製品の本格的な量産に乗り出すことになる。
 同社の関係者は「48層に続いて今回72層256Gbの3DNAND開発まで迅速に完了し、3DのNAND市場で業界最高レベルの製品競争力を確保した」と伝えた。
 同社は今後このメモリーを次世代記憶装置のSSD(ソリッドステートドライブ)やスマートフォン用製品(eMMC)に適用するために、コントローラーなどを結合して製品化する技術を開発する予定だ。
 記憶セルを立体的に積む3DNANDは、人工知能(AI)、ビッグデータ、クラウドなどが主導する第4次産業革命の時代に需要が爆発的に増加すると見込まれている。
ynhrm@yna.co.kr