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東芝は2月9日、NAND型フラッシュメモリの製造拠点である同社四日市工場の第6製造棟と開発センターの竣工式を行ったと発表した。

第6製造棟は、同社が開発・製造する3次元NAND(3D NAND)「BiCS FLASH」の生産を拡大することを目的に建設されるもので、3D NAND特有の製造プロセスを担当する予定。第5製造棟と同様に2期に分けて建設する計画で、2018年の夏ごろに第1期分が竣工する予定だという。

一方の開発センターは、第6製造棟に隣接する形で建設され、3D NANDや次世代メモリの開発を担当する施設となる。こちらは2017年末の完成が予定されているという。

なお、第6製造棟の具体的な設備導入時期や生産開始時期、生産能力の詳細、生産計画などについては、市場動向を踏まえたうえで、今後、決定していくと同社では説明している。

(小林行雄)