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ソニーは2月7日、DRAMを積層した3層構造の積層型CMOSイメージセンサーの開発に、業界で初めて (※) 成功したことを発表した。センサーサイズは1/2.3型で、スマートフォン向けの製品となる。

※2月7日時点、同社調べ

今回発表された3層構造の積層型CMOSイメージセンサーは、これまで製造してきた2層構造の積層型CMOSイメージセンサーの裏面照射型センサー層と信号処理回路層の間に、さらにDRAMの層を挟み込んだ設計となっている。

容量1G bit (ギガビット) のDRAMを積層したことにより、撮影データの読み出し速度が大きく向上。動きの速い被写体を撮影したときに生じる「フォーカルプレーン歪み」を抑制できるほか、フルHD解像度で最大1,000fps (毎秒1,000フレーム) のスーパースローモーション動画を撮影可能とした。

その性能は、同画素数のスマートフォン向けCMOSイメージセンサー「IMX318」に比べ、静止画読み出しで約4倍 (1,930万画素サイズで1/120秒)、撮影可能なフレームレート数で約8倍 (前述のフルHD・1,000fps) に上る。

なお、ソニーは1型サイズの積層型CMOSセンサーにおいて、DRAMを一体化したものをすでに製品化済み (ただし、今回のセンサーと同様の3層構造ではない)。同社の高級コンパクトデジタルカメラ「RX100 IV」および「RX100 V」にその1型センサー搭載しており、フルHD・960fps (NTSC方式、PAL方式では1,000fps) の動画撮影を可能としている。

(阿部求己)