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12月14日から16日にかけて東京ビッグサイトにて開催されているエレクトロニクス製造サプライチェーン総合展示会「SEMICON Japan 2016」において、ディスコはさまざまなダイシング装置などのほか、2016年8月に発表したレーザー加工を活用したインゴットスライス手法「KABRA(Key Amorphous-Black Repetitive Absorption)」プロセスならびに、同プロセスを用いたレーザーソー「DAL7420」の参考展示などを行っている。

KABRAは、レーザーを活用することで、ウェハの切り出し時間と取れ数を増加させることを可能とする技術。DSL7420は、まさにできたばかりの装置、ということで、参考出展の扱いとなっている。現在の仕様としては、40mm厚までのインゴットに対応し、ウェハサイズも150mm(6インチ)まで対応可能だという。また、併せてKABRAプロセスを用いて1cm厚の100mm(4インチ)SiCウェハから22枚に分割されたウェハなども展示されている。

同社によると、SiC以外の材料については、現在研究中とのことで、今後、他の化合物半導体などに応用範囲を広げられるか、検討を進めていくとしていた。

なお、同社ブースでは、ミニマルファブのブースと連携して、120mにおよぶエアシューターでハーフインチウェハを搬送するデモも行っており、同社ブースでは、ダイシングやグライディング、3D顕微鏡による観察などを見ることができる。

(小林行雄)