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日立ハイテクノロジーズ(日立ハイテク)は10月13日、高加速測長装置「CV5000シリーズ」を発売した。

最先端の半導体デバイスでは、性能を高めるために、従来から進められてきた微細化に加え、構造の三次元化が加速している。特にメモリーデバイスでは縦方向に複数の素子を積層する構造(3D-NAND)、ロジックデバイスではFin-FETやVIT構造が主流となっている。これらの微細製造プロセスでは、高アスペクト比の穴や溝底の寸法を高精度に計測するニーズが高まるとともに、各レイヤー上の微細、かつ複雑なパターンを下層のレイヤーと重ね合わせる位置精度の向上が必須となっている。

今回発表された「CV5000シリーズ」は、30kV高加速対応の電子光学系を搭載し、計測時に試料から発生する二次電子(SE)や後方散乱電子(BSE)を発生角度別・エネルギーの強弱別に選択する検出技術を採用。これにより、これまで三次元構造化を図る上で課題であったアスペクト比40以上の深穴・溝底の回路線幅計測や、実デバイスパターンでの高精度オーバーレイ計測を実現した。また、従来活用されていた光学式オーバーレイ計測装置での計測に必要であった専用マークを使用せず、高加速電圧下で直接デバイスパターンの計測を可能とすることで、同層間、異層間でのインチップ内の重ね合せ精度の向上に貢献する。

なお、12月14日より16日まで、東京ビッグサイトで開催される「SEMICON JAPAN 2016」では同製品のパネル展示が行われる予定となっている。

(神山翔)