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NXPセミコンダクターズ(NXP)は5月31日、放熱特性を強化したコンパクトなLEFPAK33に封止した車載パワーMOSFETの新ラインを発表した。

LFPAK33パッケージはパッケージ抵抗とインダクタンスを低減するために銅クリップ設計を採用しており、MOSFETのオン抵抗とスイッチング損失の低減に貢献する。10.9mm2のコンパクトサイズと、最大接合部温度175℃という放熱特性が特徴で、30〜100Vまでの幅広い製品がラインアップされた。

同社は「LFPAK33の発表はコンパクト・パッケージで高性能な車載MOSFETの実現に向けた画期的なベンチマークです。今回のLFPAK製品ラインナップの拡充により、設計者にとって製品の選択肢がこれまで以上に広がりました」とコメントし、主に次世代エンジン・マネジメントやLED照明、レーダーなどの用途に適しているとしている

(神山翔)