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三菱電機は4月6日、大型産業機器向けパワー半導体モジュール「HVIGBT モジュール X シリーズ 新型デュアル」を開発したと発表した。

大型産業機器向けパワー半導体モジュールは、主に数kW〜数十MWまでの広範囲な電力変換装置の制御に使用されるデバイスで、これまで耐電圧は最高6.5kV、電流定格は最大数千Aクラスまで製品化されている。

HVIGBT モジュール X シリーズ 新型デュアルは、CSTBT構造を採用した第7世代 IGBT・RFC ダイオードの搭載と、内部インダクタンスを低減するパッケージ構造の採用により電力損失を低減。また、AC主電極を3端子に増やすことで電流密度を緩和・均一化し、インバーターの高出力化に貢献するほか、絶縁耐圧が異なる2種類のパッケージタイプ(LV100・HV100)の外形寸法を共通化したことで、インバーターシステムの設計を効率化できるとしている。

サンプル提供は耐電圧 3.3kV(パッケージタイプ LV100)を 2017年3月に開始し、1.7kV品・3.3kV品(パッケージタイプ HV100)・4.5kV品・6.5kV品を2018年以降に順次開始するほか、1.7kV未満の製品開発も計画しているという。

(神山翔)