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ルネサス エレクトロニクスは12月9日、6nm世代プロセス以降の車載情報機器用SoC向けに、新たにデュアルポートタイプの内蔵SRAMを開発したと発表した。

同SRAMでは、今後の自動運転技術として必要となるリアルタイム画像処理を実現するため、車載情報機器用SoCに搭載する画像バッファメモリに最適化が図られた。

同社はFinFETの特長を生かし、読出し時と書込み時でそのパルス幅を変えるというアシスト回路方式をシングルポートSRAM向けに提案および採用しているが、今回、同技術を拡張し、同画像認識用デュアルポートSRAMに採用。最先端16nmプロセスで試作評価した結果、0.7Vの低電圧動作にて、688ピコ秒の高速安定動作を確認したという。

また、周辺回路をリアルタイム画像処理向けSRAMとして最適設計することで、3.6Mbit/mm2という世界トップクラスの集積度を実現した。これにより、並列処理化と同時に要求が高まっている搭載SRAMの大容量化に対応することが可能となる。